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参数资料
| 型号： | NP80N055MLE |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS场效应晶体管的开关N沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | NP80N055MLE |
Data Sheet D14097EJ6V0DS
8
NP80N055ELE, NP80N055KLE, NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE
5)TO-220 (MP-25K)
6)TO-262 (MP-25SK)
4
2
±
10.0
±
0.2
3.8
±
0.2
φ
6
±
4.45
±
0.2
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
0.5
±
0.2
2.5
±
0.2
1.27
±
0.2
3
±
1
1
2
3
1
±
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4
1
2
3
10.0
±
0.2
4.45
±
0.2
1.3
±
0.2
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0.8
±
0.1
1.27
±
0.2
0.5
±
0.2
2.5
±
0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1
±
8
±
1
±
3
±
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055MLE-S18-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N055NLE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N055NLE-S18-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N055MLE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055NDG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP80N055NHE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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