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参数资料
| 型号： | NP80N055NHE-S18-AY |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS场效应晶体管的开关N沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | NP80N055NHE-S18-AY |
Data Sheet D14096EJ7V0DS
4
NP80N055EHE, NP80N055KHE, NP80N055CHE, NP80N055DHE, NP80N055MHE, NP80N055NHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
00
25
50
75
100
125
150
175
200
140
120
100
80
60
40
20
d
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
°
C
A
0
25
40
60
80
100
120
50
75
100
125
150
175
20
T
C
- Case Temperature -
°
C
100 mJ
96 mJ
2.0 mJ
45 A
I
AS
= 31 A
Figure5.
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
°
C
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
R
th(ch-A)
= 83.3
°
C/W
10
100
R
th(ch-C)
= 1.25
°
C/W
μ
μ
0.1
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
I
D(pulse)
I
D(DC)
PW = 10
μ
s
DC
100
μ
s
1ms
R
DS(on)
Lmted
(V
GS
= 10 V)
LPowerDsspaion
T
C
= 25
°
C
Single Pulse
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PDF描述 |
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参数描述 |
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