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参数资料
| 型号： | NP80N055NHE-S18-AY |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS场效应晶体管的开关N沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | NP80N055NHE-S18-AY |
Data Sheet D14096EJ7V0DS
5
NP80N055EHE, NP80N055KHE, NP80N055CHE, NP80N055DHE, NP80N055MHE, NP80N055NHE
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
50
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
Figure11. GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
V
G
I
D
- Drain Current - A
f
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
Ω
00
6
2
4
8
10
12
14
16
18
Pulsed
10
20
30
40
I
D
= 40 A
I
D
- Drain Current - A
R
D
Ω
10
10
1
20
30
100
1000
Pulsed
0
V
GS
= 10 V
V
=10V
Pulsed
0.01
0.1
1
10
10
100
0.01
0.1
1
T
°
C
25
°
C
25
°
C
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.0
3.0
4.0
50
0
50
100
150
1.0
0
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
00
2
3
4
80
200
160
120
1
Pulsed
V
GS
=10 V
40
1
0.1
10
100
1000
Pulsed
2
3
4
6
5
1
V
DS
= 10 V
T
A
=
40
°
C
25
°
C
75
°
C
150
°
C
175
°
C
A
= 175
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055ELE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N055ELE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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