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参数资料
| 型号： | NP80N055PDG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N055PDG-E1B-AYDKR |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP80N055MDG, NP80N055NDG, NP80N055PDG
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed
for high current switching applications.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
NP80N055MDG-S18-AY
Note
LEAD PLATING
PACKING
Tube
PACKAGE
TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g
NP80N055NDG-S18-AY
NP80N055PDG-E1B-AY
NP80N055PDG-E2B-AY
Note
Note
Note
Pure Sn (Tin)
50 p/tube
Tape
1000 p/reel
TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g
TO-263 (MP-25ZP) typ. 1.5 g
Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)
FEATURES
? Logic level
? Super low on-state resistance
- NP80N055MDG, NP80N055NDG
R DS(on)1 = 6.9 m Ω MAX. (V GS = 10 V, I D = 40 A)
R DS(on)2 = 11.2 m Ω MAX. (V GS = 4.5 V, I D = 35 A)
- NP80N055PDG
R DS(on)1 = 6.6 m Ω MAX. (V GS = 10 V, I D = 40 A)
R DS(on)2 = 10.9 m Ω MAX. (V GS = 4.5 V, I D = 35 A)
? High current rating
I D(DC) = ± 80 A
? Low input capacitance
C iss = 4600 pF TYP.
(TO-220)
(TO-262)
(TO-263)
? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
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sales representative for availability and additional information.
Document No. D19796EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published May 2009 NS
Printed in Japan
2009
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP80N06MLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N06NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06NLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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