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参数资料
| 型号： | NP80N055PDG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N055PDG-E1B-AYDKR |
NP80N055MDG, NP80N055NDG, NP80N055PDG
200
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
200
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
150
10 V
150
10 V
100
50
0
V GS = 4.5 V
Pulsed
NP80N055MDG, NP80N055NDG
100
50
0
V GS = 4.5 V
Pulsed
NP80N055PDG
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
150 ° C
175 ° C
V DS = 10 V
2
1
V DS = V GS
0.0001
Pulsed
0
I D = 250 μ A
0
1
2
3
4
-75
-25
25
75
125
175
225
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25°C
75°C
T ch - Channel Temperature - ° C
10
125°C
150°C
175°C
V DS = 5 V
Pulsed
1
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19796EJ1V0DS
5
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