- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18782 > NP80N06MLG-S18-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NP80N06MLG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 128nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP80N06MLG, NP80N06NLG, NP80N06PLG
200
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
200
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
150
100
10 V
V GS = 4.5 V
150
100
10 V
V GS = 4.5 V
50
0
Pulsed
NP80N06MLG, NP80N06NLG
50
0
Pulsed
NP80N06PLG
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
150 ° C
175 ° C
V DS = 10 V
2
1
V DS = V GS
0.0001
Pulsed
0
I D = 250 μ A
0
1
2
3
4
-75
-25
25
75
125
175
225
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
T ch - Channel Temperature - ° C
10
125 ° C
1
150 ° C
175 ° C
V DS = 5 V
Pulsed
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19798EJ1V0DS
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB |
| MICRF008YM | IC RECEIVER 300-440MHZ 8-SOIC |
| IXTP1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| UPG2151T5K-A | IC SWITCH SPDT 6-TSSON |
| NP82N04MLG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N06NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06NLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N06PLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06PLG-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N06PLG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。