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参数资料
| 型号： | NP80N06MLG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 128nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP80N06MLG, NP80N06NLG, NP80N06PLG
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
C iss
100
t d(off)
t d(on)
1000
C oss
10
t r
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
1
V DD = 30 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
t f
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
60
12
1000
50
40
V DD = 48 V
30 V
12 V
10
8
100
10 V
4.5 V
10
V GS = 0 V
30
6
20
10
0
V DS
V GS
I D = 80 A
4
2
0
1
0.1
0.01
Pulsed
0
20
40
60
80
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
100
10
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
0.1
1
10
100
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D19798EJ1V0DS
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP80N06NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06NLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N06PLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06PLG-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N06PLG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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