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参数资料
| 型号： | NP82N04MDG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 900 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP82N04MDG, NP82N04NDG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
160
140
120
100
80
60
40
20
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
n)
DS
R S
(V
it e
1 i 0
100
(o
G
d
Lim V )
=
I D(Pulse)
PW
=
1 i 0
0
μ s
10
1
0.1
I D(DC)
T C = 25 ° C
Single Pulse
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
10
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W
1
R th(ch-C) = 1.05 ° C/W
0.1
Single Pulse
0.01
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D19800EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP82N04MUG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
| NP82N04NLG-S18-AY | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 |
| NP82N04PDG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| NP82N04PUG-E1-AZ | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| NP82N055NUG-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N04MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N04MUG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04MUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N04NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04NDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO262 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A MP-25SK |
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