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参数资料
| 型号： | NP82N04MDG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 900 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP82N04MDG, NP82N04NDG
MARKING INFORMATION
NEC
82N04
DG
Pb-free plating marking
Abbreviation of part number
Lot code
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
These products should be soldered and mounted under the following recommended conditions.
For soldering methods and conditions other than those recommended below, please contact an NEC Electronics
sales representative.
For technical information, see the following website.
Semiconductor Device Mount Manual (http://www.necel.com/pkg/en/mount/index.html)
Soldering Method
Wave soldering
NP82N04MDG,
NP82N04NDG
Partial heating
NP82N04MDG,
NP82N04NDG
Soldering Conditions
Maximum temperature (Solder temperature): 260 ° C or below
Time: 10 seconds or less
Maximum chlorine content of rosin flux: 0.2% (wt.) or less
Maximum temperature (Pin temperature): 350 ° C or below
Time (per side of the device): 3 seconds or less
Maximum chlorine content of rosin flux: 0.2% (wt.) or less
Recommended
Condition Symbol
THDWS
P350
Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
Data Sheet D19800EJ1V0DS
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP82N04MUG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
| NP82N04NLG-S18-AY | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 |
| NP82N04PDG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| NP82N04PUG-E1-AZ | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| NP82N055NUG-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N04MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N04MUG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04MUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N04NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04NDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO262 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A MP-25SK |
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