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参数资料
| 型号： | NP82N04PUG-E1-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP82N04PUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
160
140
120
100
80
60
40
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
1000
100
R DS(on) Limited
(at V GS = 10V)
I D(pulse) = 328 A
100 μ s
I D(DC) = 82 A
1 ms
10 ms
10
DC
1
T C = 25°C
Single pulse
0.1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
10
R th(ch-A) = 83.3°C/W
1
R th(ch-C) = 1.05°C/W
0.1
Single pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m 1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D16858EJ1V0DS
3
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