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参数资料
| 型号： | NP82N055PUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP82N055PUG-E1-AYDKR |
NP82N055PUG
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
350
300
250
V GS = 10 V
1000
100
10
V DS = 10 V
Pulsed
200
150
100
50
0
Pulsed
1
0.1
0.01
0.001
T A = 175°C
150°C
125°C
75°C
? 55°C
? 25°C
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
3.5
3
2.5
2
1.5
100
10
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 55 ° C
25°C
85°C
1
0.5
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
1
125°C
175°C
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
14
12
10
8
6
4
V GS = 10 V
Pulsed
10
9
8
7
6
5
4
3
I D = 82 A
41 A
16.4 A
Pulsed
2
0
2
1
0
1
10
100
1000
0
4
8
12
16
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16859EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage – V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP82N06NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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