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参数资料
| 型号： | NP82N055PUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP82N055PUG-E1-AYDKR |
NP82N055PUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
9
8
7
6
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
5
4
1000
C oss
3
2
1
0
I D = 41 A
V GS = 10 V
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage – V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
45
V DD = 44 V
10
100
t d(off)
t r
40
35
30
28 V
11 V
V GS
8
6
t d(on)
25
20
4
10
1
V DD = 28 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t f
15
10
5
0
V DS
I D = 82 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
1000
100
10
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4 1.6
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16859EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NP82N06NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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