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参数资料
| 型号： | NRVB1035G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 107K |
| 描述： | IC DIODE SCHTKY 10A 35V TO-220AC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 35V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage MBR1035
MBR1045
VRRM
VRWM
VR
35
45
V
Average Rectified Forward Current
(TC
= 135
°C, Per Device)
IF(AV)
10
A
Peak Repetitive Forward Current,
(Square Wave, 20 kHz, TC
= 135
°C)
IFRM
10
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
1.0
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +175
°C
Voltage Rate of Change
(Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
Min. Pad
RJC
2.0
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
Min. Pad
RJA
60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 10 Amps, T
j
= 125
°C)
(iF
= 20 Amps, Tj = 125
°C)
(iF
= 20 Amps, Tj = 25
°C)
vF
?
?
?
0.55
0.67
0.78
0.57
0.72
0.84
V
Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, Tj = 125°C)
(Rated dc Voltage, Tj = 25°C)
iR
?
?
5.3
0.008
15
0.1
mA
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
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