参数资料
型号: NRVB1035G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 107K
描述: IC DIODE SCHTKY 10A 35V TO-220AC
产品变化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装: 50
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 35V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 840mV @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 35V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
5
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
0.01 0.1 1.0 10 100
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
t, TIME (ms)
0.5
0.3
0.2
1.0
Ppk
Ppk
tp
t1
TIME
DUTY CYCLE, D = tp/t1
PEAK POWER, Ppk, is peak of an
equivalent square power pulse.
TJL
= P
pk
?
R
JL
[D + (1 - D)
?
r(t
1
+ t
p) + r(tp) - r(t1)] where:
TJL
= the increase in junction temperature above the lead temperature.
r(t) = normalized value of transient thermal resistance at time, t, i.e.:
r(t1
+ t
p) = normalized value of transient thermal resistance at time,
t1
+ t
p.
1000
Figure 9. Thermal Response
0.07
0.7
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.05 500.2 2.00.5
1.0 5.0
10 20
1500
1000
500
300
150
0.1
700
C, CAPACITANCE (pF)
Figure 10. Capacitance
200
MAXIMUM
TYPICAL
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