参数资料
型号: NRVB120ESFT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 105K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 20V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商设备封装: SOD-123
包装: 带卷 (TR)
MBR120ESF, NRVB120ESF
http://onsemi.com
3
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
0.2
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
VF, MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE
(VOLTS)
0.1
0.4 0.80.6
TJ
= 100
°C
TJ
= 150
°C
TJ
=
?40°C
TJ
= 25
°C
0.2
10
1.0
0.1
0.4 0.80.6
TJ
= 100
°C
TJ
= 150
°C
TJ
= 25
°C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS)
I
R
, REVERSE CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100E?3
10E?3
10E?6
1E?6
100E?9
10E?9
5.0 10 15
20
0
100E?3
10E?3
1E?3
100E?9
10E?9
5.0 10 15
TJ
= 150
°C
TJ
= 100
°C
TJ
= 25
°C
TJ
= 150
°C
TJ
= 100
°C
TJ
= 25
°C
100E?6
10E?6
1E?6
100E?6
1E?3
Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation
P
FO
, AVERAGE DISSIPATION (WATTS)
Ipk/Io
= 5
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0.2
0
0.7
0.6
0.5
0.3
0.1
0
0.4 0.8 1.2 1.60.6 1.41.0
0.4
SQUARE
WAVE
dc
Ipk/Io
=
Ipk/Io
= 10
Ipk/Io
= 20
0.2
I
O
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
45
25
1.8
1.2
1.0
0.6
0.2
0
65 12585 105 165145
0.8
0.4
1.4
1.6
Ipk/Io
= 20
Ipk/Io
= 10
Ipk/Io
= 5
Ipk/Io
=
SQUARE
WAVE
dc
freq = 20 kHz
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PDF描述
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NRVB130T1G DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123
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NRVB120ESFT3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT SOD123 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NRVB120LSFT1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A, 20 V SCHOTTKY RECT RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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NRVB140SF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier
NRVB140SFT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: