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参数资料
型号： NRVBA1H100T3G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 4/5页
文件大小： 126K
描述： DIODE SCHOTTKY 1A 100V SMA
标准包装： 5,000
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 100V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 760mV @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 40µA @ 100V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-214AC，SMA
供应商设备封装： SMA
包装： 带卷 (TR)
MBRA1H100T3G, NRVBA1H100T3G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
40 90 10080
70
60
50
30
20
10
0
0
20
40
60
80
120
C, CAPACITANCE (pF)
100
140
TJ
= 25
?C
0.0001 0.001 0.01 1.00.1
0.00001
PULSE TIME (s)
100
10
0.1
0.01
10 100
0.000001
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
1000
R(t) (C/W)
1.0
0.0001 0.001 0.01 1.00.1
0.00001
PULSE TIME (s)
100
10
0.1
0.01
10 100
0.000001
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
1000
R(t) (C/W)
Figure 8. Thermal Response, Junction?to?Ambient (6 mm2
pad)
1.0
1000
Figure 9. Thermal Response, Junction?to?Ambient (1 in2
pad)
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PDF描述
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