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参数资料
| 型号： | NRVBS2040LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 175K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     MBRS2040LT3G, NRVBS2040LT3G http://onsemi.com 4 Figure 7. Capacitance Figure 8. Typical Operating Temperature Derating* Figure 9. Thermal Response Junction to Lead Figure 10. Thermal Response Junction to Ambient 5.0 10 20 25 35 40 30 3530 5.0 10 2015 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 1000 100 10 VR, DC REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 25 40 65 0 105 85 75 100 0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1 0.00001 T, TIME (s) 1.0 0.1 0.01 C, CAPACITANCE (pF) T R 15 95 115 125 , DERATED OPERATING TEMPERATURE ( C) J ? 0.001 , TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) (T) T, TIME (s) 1.0 0.1 0.01 R 0.001 , TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) (T) * Reverse power dissipation and the possibility of thermal runaway must be considered when operating this device under any re- verse voltage conditions. Calculations of TJ therefore must include forward and reverse power effects. The allowable operating TJ may be calculated from the equation: T J = T Jmax ? r(t)(Pf + Pr) where r(t) = thermal impedance under given conditions, Pf = forward power dissipation, and Pr = reverse power dissipation This graph displays the derated allowable TJ due to reverse bias under DC conditions only and is calculated as T J = T Jmax ? r(t)Pr, where r(t) = Rthja. For other power applications further calculations must be performed. Rtja = 22.5 ?C/W 42?C/W 61?C/W 78?C/W 92?C/W Rtjl(t) = Rtjl*r(t) 50% 20% 10% 5.0% 2.0% 1.0% 100 0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1 0.00001 1,000 Rtjl(t) = Rtjl*r(t) 50% 20% 10% 5.0% 2.0% 1.0% TJ = 25 ?C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NRVBS240LT3G | DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NRVBS240LT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMB 2A 40V SHTKY TR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS260T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 60V 2A 2-Pin SMB T/R 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SBN BE SCHOTTKY - Tape and Reel |
| NRVBS3100T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RECTFR 3A 100V SURFACE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS3200T3G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3A 200V SMB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| NRVBS3201T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 200V SCHOTTKY IN SMC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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