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参数资料
| 型号： | NRVBS3201T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 200V SMC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      MBRS3201T3G, NRVBS3201T3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 200 V Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 70 ?C) IF(AV) 3 A Nonrepetitive Peak Surge Current IFSM 100 A Operating Junction Temperature TJ ?55 to +150 ?C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead RJL 12 ?C/W Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RJA 60 ?C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (IF = 3 A, T J = 25 ?C) (IF = 3 A, T J = 150 ?C) VF 0.84 0.59 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Rated VR) (Rated DC Voltage, TJ = 25 ?C) (Rated DC Voltage, TJ = 150 ?C) IR 1.0 5.0 mA mA Maximum Reverse Recovery Time (IF = 1 A, di/dt = 100 A/us, V R = 30 V) trr 35 ns 0.1 1.0 10 100 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V) I F , FORWARD CURRENT (A) 25?C 150?C 100?C Figure 1. Typical Forward Voltage 0.1 1.0 10 100 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V) I F , FORWARD CURRENT (A) 25?C 150?C 100?C Figure 2. Maximum Forward Voltage |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NSB8MTHE3/81 | DIODE GPP 8A 1000V PLAST TO263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NRVBS330T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMC 3A 30V SHTKY TR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS360BT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 60V 4A SMB 制造商:ON Semiconductor 功能描述:3A 60V SCHOTTKY SMB - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 60V 4A 2-Pin SMB T/R 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 3A 60V SCHOTTKY SMB |
| NRVBS360T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RECTFR 3.0 A, 60 V SUR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS4201T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 4A, 200V SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS540T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 5A, 40V SCHOTTKY RECTIFER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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