| 型号： | NSB8MTHE3/81 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE GPP 8A 1000V PLAST TO263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSD16F3T5G | IC DIODE SW 75V 200MA SOT-1123 |
| NSD914F3T5G | IC DIODE SW HS 100V SOT-1123 |
| NSD914XV2T1 | DIODE SW 120MW 100V HS SOD523 |
| NSR0130M2T5G | DIODE SCHOTTKY 100MA 30V SOD-723 |
| NSR0130P2T5G | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD-923 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB9435T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 3A 30V Lov VCEsat RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB9435T1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |
| NSB9435T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |
| NSB9435T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SOT233 BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB9435T1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |