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参数资料
| 型号： | NSB13ANT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 600W 13V SMB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 13V |
| 电压 - 击穿： | 14.4V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NSB13ANT3G
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
160
100
t r ≤ 10 m s
PEAK VALUE - I PP
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF I PP .
140
120
100
50
HALF VALUE -
I PP
2
80
60
40
t P
20
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50
75
100
125
150
t, TIME (ms)
Figure 1. 10 × 1000 m s Pulse Waveform
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Pulse Derating Curve
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
http://onsemi.com
3
V L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB13ANT3H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NSB1706DMW5T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB1706DMW5T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
| NSB1706DMW5T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB1706DMW5T1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
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