参数资料
型号: NSD914XV2T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 79K
描述: DIODE SW 120MW 100V HS SOD523
产品变化通告: Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 10mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 75V
电容@ Vr, F: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NSD914XV2T1OSTR
NSD914XV2T1
http://onsemi.com
2
Notes: 1. A 2.0 kΩ
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
Ω
0.1 μF
DUT
VR
100 μH
0.1 μF
50 Ω
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 Ω
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
°C
TA
= -40
°C
TA
= 25
°C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
°C
TA
= 55
°C
TA
= 85
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
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NSD914XV2T1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
NSDB7520-G63 制造商:Digi International Inc 功能描述:DIGI NET+WORKS NS7520 V6.3 (GN 制造商:Digi International Inc 功能描述:DEV DIGI NET+WORKS V6.3
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