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参数资料
| 型号： | NSDEMN11XV6T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 54K |
| 描述： | DIODE SWITCH QUAD CC 80V SOT563 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN |
| 其它名称： | NSDEMN11XV6T1OSCT |
NSDEMN11XV6T1, NSDEMN11XV6T5
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C)
Characteristic
Symbol
Condition
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
IR
VR
= 70 V
?
0.1
Adc
Forward Voltage
VF
IF
= 100 mA
?
1.2
Vdc
Reverse Breakdown Voltage
VR
IR
= 100
A
80
?
Vdc
Diode Capacitance
CD
VR
= 6.0 V, f = 1.0 MHz
?
3.5
pF
Reverse Recovery Time
trr
(Note 3)
IF
= 5.0 mA, V
R
= 6.0 V, R
L
= 100
, Irr
= 0.1 I
R
?
4.0
ns
3. trr
Test Circuit on following page.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Reverse Current
Figure 3. Diode Capacitance
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
TA
= 85
°C
TA
= ?
°C
TA
= 25
°C
1.0
0.60
0.9
0.8
0.7
2468
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J33-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W |
| EEM08DTMT | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
| FEP16GTA | DIODE FAST 400V 8A NEG TO220AB |
| AT24C11-10TI-2.7 | IC EEPROM 1KBIT 1MHZ 8TSSOP |
| R0.25D-153.3/HP-R | CONV DC/DC 0.25W 15V +/-3.3VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSDEMN11XV6T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMN11XV6T5 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMN11XV6T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Cathode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode |
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