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参数资料
| 型号： | NSDEMN11XV6T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 54K |
| 描述： | DIODE SWITCH QUAD CC 80V SOT563 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NSDEMN11XV6T5GOS |
NSDEMN11XV6T1, NSDEMN11XV6T5
http://onsemi.com
3
A
RL
tr
tp
t
10%
90%
VR
tp
= 2
s
tr
= 0.35 ns
IF
trr
t
Irr
= 0.1 I
R
IF
= 5.0 mA
VR
= 6 V
RL
= 100
RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
INPUT PULSE OUTPUT PULSE
Figure 4. Reverse Recovery Time Test Circuit for the NSDEMN11XV6T1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LXD96-1400SW | POWER SUPPLY LED 96W 1400MA DIM |
| BAS16DXV6T5G | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 |
| TC4467MJD | IC MOSFET DVR QUAD NAND 14CDIP |
| MUR3040PTG | DIODE ULT FAST 400V 15A TO-218 |
| TC4468MJD | IC MOSFET DVR QUAD AND 14CDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSDEMP11XV6T1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode |
| NSDEMP11XV6T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode |
| NSDEMP11XV6T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Anode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T5 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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