参数资料
型号: NSR01L30NXT5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 88K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN
标准包装: 5,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3µA @ 30V
电容@ Vr, F: 7pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-XFDFN
供应商设备封装: 2-DSN(0.60x0.30)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NSR01L30NXT5G-ND
NSR01L30NXT5GOSTR
NSR01L30NXT5G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Thermal Resistance
Junction?to?Ambient (Note 1)
Total Power Dissipation @ TA
= 25
°C
RJA
PD
400
312
°C/W
mW
Thermal Resistance
Junction?to?Ambient (Note 2)
Total Power Dissipation @ TA
= 25
°C
RJA
PD
170
735
°C/W
mW
Storage Temperature Range
Tstg
?40 to +125
°C
Junction Temperature
TJ
+150
°C
1. Mounted onto a 4 in square FR
?4 board 10 mm sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state.
2. Mounted onto a 4 in square FR
?4 board 1 in sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Leakage
(VR
= 10 V)
(VR
= 30 V)
IR
0.2
3.0
A
Forward Voltage
(IF
= 10 mA)
(IF
= 100 mA)
VF
0.40
0.53
V
Total Capacitance
(VR
= 5.0 V, f = 1 MHz)
CT
7.0
pF
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PDF描述
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