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参数资料
| 型号： | NSR0240V2T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOD-523 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 700mV @ 200mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NSR0240V2T1GOSDKR |
         NSR0240V2T1G, NSVR0240V2T1G http://onsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance Junction?to?Ambient (Note 1) Total Power Dissipation @ TA = 25 ?C R P JA D 600 200 ?C/W mW Thermal Resistance Junction?to?Ambient (Note 2) Total Power Dissipation @ TA = 25 ?C R P JA D 300 400 ?C/W mW Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg ?55 to +150 ?C 1. Mounted onto a 4 in square FR?4 board 10 mm sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single?sided. Operating to steady state. 2. Mounted onto a 4 in square FR?4 board 1 in sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single?sided. Operating to steady state. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Leakage (VR = 10 V) (VR = 25 V) (VR = 40 V) IR ? ? ? ? 0.2 0.5 0.55 2.0 10 A Forward Voltage (IF = 10 mA) (IF = 100 mA) (IF = 200 mA) VF ? ? ? 345 485 580 390 550 700 mV Total Capacitance (VR = 5.0 V, f = 1 MHz) CT ? 4.0 ? pF Reverse Recovery Time (IF = I R = 10 mA, I R = 1.0 mA) trr ? 3.0 ? ns 1. DC Current Source is adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA. 2. Pulse Generator Output is adjusted for a Peak Reverse Recovery Current IRM of 10 mA. 3. Pulse Generator transition time << trr. 4. IR(REC) is measured at 1 mA. Typically 0.1 X I RM or 0.25 X I RM. 5. tp ? t rr RL = 50 Current Transformer DUT 750 H 0.1 F 50 Output Pulse Generator tr tp 10% 90% IF IRM trr iR(REC) = 1 mA Output Pulse (IF = I RM = 10 mA; measured at iR(REC) = 1 mA) IF Pulse Generator Output Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit 50 Input Oscilloscope 0.1 F 0 V VR DC Current + Source Adjust for IRM ? |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NSR0240V2T5G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SOD523 SCHTY BARRIER DIOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NSR02F30NXT5G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 203 FC SCHOTTKY DIODES RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NSR02F30NXT5G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| NSR02L30NXT5G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 204 FC SCHOTTKY DIODES RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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