参数资料
型号: NSR02L30NXT5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 88K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN
标准包装: 5,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 580mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3µA @ 30V
电容@ Vr, F: 7pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-XFDFN
供应商设备封装: 2-DSN(0.60x0.30)
包装: 带卷 (TR)
NSR02L30NXT5G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Leakage Current
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 3. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
0.2
150°C
125°C
?25°C
75°C
25°C
30
TA
= 25°C
16
18
20
30
25
20
15
10
5
05
0
1.0E?
1.0E?03
1.0E?01
1.0E+01
1.0E+03
I
r
, REVERSE CURRENT (
A)
150°C
125°C
?25°C
75°C
25°C
1.0E?04
1.0E?02
1.0E+00
1.0E+02
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