参数资料
型号: NSVR0320MW2T1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 111K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-323
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 900mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 29pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 带卷 (TR)
NSR0320MW2T1G, NSVR0320MW2T1G, NSR0320MW2T3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Total Capacitance (VR
= 5.0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
25
29
pF
Reverse Leakage (VR
= 15 V)
IR
?
10
50
A
Reverse Leakage (VR
= 2.0 V @ 85
?C)
IR
?
200
300
A
Reverse Leakage (VR
= 15.0 V @ 85
?C)
IR
?
450
1000
A
Forward Voltage (IF
= 10 mA)
VF
?
0.24
0.27
V
Forward Voltage (IF
= 100 mA)
VF
?
0.30
0.35
V
Forward Voltage (IF
= 900 mA)
VF
?
0.45
0.50
V
1
10
100
1000
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Forward Voltage
1
0 5 10 15 20 25
10
100
1000
10000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 2. Leakage Current
IR, REVERSE CURRENT (
A)
150?C
85?C
?45?C
?55?C
25?C
150?C
85?C
25?C
125?C
0
0 5 10 15 20
20
40
60
80
100
120
140
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
CT, CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Total Capacitance
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PDF描述
NSVRB521S30T1G DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD523
NTSB30100S-1G DIODE LVFR 30A 100V I2PAK
NTST20100CTG IC DIODE SCHOTTKY 100V TO220-3
NTST30100CTG IC DIODE SCHOTTKY 100V TO220-3
NTST30U100CTG IC DIODE SCHOTTKY 100V TO220-3
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参数描述
NSVRB521S30T1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NSVS-1059 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述:
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