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参数资料
| 型号： | NSVRB521S30T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     RB521S30T1G, NSVRB521S30T1G, RB521S30T5G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Leakage (VR = 10 V) IR ? ? 30.0 A Forward Voltage (IF = 200 mA) VF ? ? 0.50 Vdc 100 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 10 1 100n 1n 51015202530 20 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 12 4 2 0 51015 3020 25 TA = 125 ?C TA = ?25?C 1m 10m 6 8 10 I R , REVERSE CURRENT (A) C T , TOATAL CAPACITANCE (pF) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 10 100 1m 10m 100m 1 Figure 1. Forward Characteristics VF, FORWARD VOLTAGE (V) I F , FORWARD CURRENT (A) TA = 125 ?C TA = 75 ?C TA = 25 ?C TA = 75 ?C TA = 25 ?C TA = ?25?C Figure 2. Reverse Characteristics Figure 3. Total Capacitance 10n 14 16 18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTSB30100S-1G | DIODE LVFR 30A 100V I2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSVS-1059 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |
| NSVS-1089 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |
| NSVS-1093 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |
| NSVS-1097 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |
| NSVS-1103 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |
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