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参数资料
| 型号： | NT5SV32M8AT |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256Mb的同步DRAM |
| 文件页数： | 24/65页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | NT5SV32M8AT |
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NT5SV64M4AT(L)
NT5SV32M8AT(L)
NT5SV16M16AT(L)
256Mb Synchronous DRAM
REV 1.0
May, 2001
24
NANYA TECHNOLOGY CORP
. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Burst write operations will be terminated by the Precharge command. The last write data that will be properly stored in the
device is that write data that is presented to the device a number of clock cycles prior to the Precharge command equal to the
Data-in to Precharge delay, t
DPL
.
Precharge Termination of a Burst Write
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE Ax
0
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOP
DIN Ax
1
DIN Ax
2
t
DPL
DIN Ax
0
t
CK2
,
DQs
CAS latency = 2
NOP
DIN Ax
1
DIN Ax
2
DIN Ax
0
t
CK3
,
DQs
CAS latency = 3
DQM
Precharge A
t
DPL
is an asynchronous timing and may be completed in one or two clock cycles
depending on clock cycle time.
(Burst Length = 8, CAS Latency = 2, 3)
t
DPL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5SV32M8AT-75B | 256Mb Synchronous DRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NT5SV32M8AT-75B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV32M8AT-7K | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| NT5SV32M8AT-8B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV4M16DT | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV4M16DT-6K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
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