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参数资料
| 型号： | NTA7002NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 154MA SOT-416 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 154mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 154mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | SC-75，SOT-416 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTA7002NT1GOSDKR |
NTA7002N, NVTA7002N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
25
20
15
10
C iss
C rss
T J = 25 ° C
C iss
1000
100
10
V DD = 5.0 V
I D = 75 mA
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
5
C oss
0
10
V DS = 0 V
5
V GS
0
V GS = 0 V
5
V DS
10
15
C rss
20
1
1
10
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
100
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
ORDERING INFORMATION
NTA7002NT1G
NVTA7002NT1G
Device
Package
SC ? 75
(Pb ? Free)
SC ? 75
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
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