- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18548 > NTB30N06LG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB30N06LG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP30N06L, NTB30N06L
2800
2400
2000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
5
4
Q 1
Q T
Q 2
1600
3
V GS
1200
800
C rss
C iss
2
400
C oss
C rss
1
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0
10
5 V GS 0 V DS 5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
1000
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
t r
t f
32
24
16
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
V DS = 30 V
I D = 30 A
V GS = 5 V
8
1
1
10
100
0
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
1
1.08
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
100
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
SINGLE PULSE
120
100
I D = 26 A
80
10
10 ms
60
1
1 ms
R DS(on) Limit
Thermal Limit
100 m s
10 m s
dc
40
20
Package Limit
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736R-59.94161 | OSC 59.94161 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ABLS-19.6608MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 19.66080 MHZ 18PF SMD |
| 940C20P33K-F | CAP FILM 0.33UF 2KVDC AXIAL |
| B82731M2501A30 | D CORE DBL CHOKE 47MH 0.5A VERT |
| 169414 | CERTI-LOK DIE SET TYPE III/XII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB30N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N20 | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。