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参数资料
| 型号： | NTB30N06LG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP30N06L, NTB30N06L
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418B?04
ISSUE J
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
?B?
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B?01 THRU 418B?03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B?04.
4
DIM
A
INCHES
MIN MAX
0.340 0.380
MILLIMETERS
MIN MAX
8.64 9.65
A
B
0.380 0.405
9.65 10.29
1
2
3
S
C
D
0.160 0.190
0.020 0.035
4.06 4.83
0.51 0.89
E
F
0.045 0.055
0.310 0.350
1.14 1.40
7.87 8.89
?T?
SEATING
PLANE
G
K
J
W
G
H
J
K
0.100 BSC
0.080 0.110
0.018 0.025
0.090 0.110
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
L
0.052 0.072
1.32 1.83
D 3 PL
H
M
N
0.280 0.320
0.197 REF
7.11 8.13
5.00 REF
0.13 (0.005)
M
T B
M
P
R
0.079 REF
0.039 REF
2.00 REF
0.99 REF
S
V
0.575 0.625
0.045 0.055
14.60 15.88
1.14 1.40
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736R-59.94161 | OSC 59.94161 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ABLS-19.6608MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 19.66080 MHZ 18PF SMD |
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| 169414 | CERTI-LOK DIE SET TYPE III/XII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB30N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N20 | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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