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参数资料
| 型号： | NTB35N15T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 18.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTB35N15T4GOSCT |
NTB35N15
70
60
V GS = 10 V
V GS = 9 V
V GS = 5.5 V
T J = 25 ° C
70
60
V DS ≥ 10 V
50
V GS = 8 V
50
40
30
V GS = 7 V
V GS = 5 V
40
30
T J = 100 ° C
20
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
20
T J = 25 ° C
10
V GS = 4 V
10
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8 9
10
0
2
3
4
5
6
7
0.1
0.08
0.06
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.055
0.05
0.045
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
V GS = 15 V
0.04
0.02
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.04
0.035
0
0
10
20
30
40
50
60
70
0.03
0
10
20
30
40
50
60
70
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.5
2.25
2.0
I D = 18.5 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.75
1.5
1.25
1000
1.0
0.75
0.5
0.25
100
T J = 100 ° C
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
10
30 40 50
60
70
80 90 100 110 120 130 140 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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