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参数资料
| 型号： | NTB90N02G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB90N02, NTP90N02
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
V (BR)DSS
24
?
27
25
?
?
Vdc
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
m Adc
(V DS = 24 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 24 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
?
?
?
?
1.0
10
Gate?Body Leakage Current (V GS = $ 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
± 100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
1.0
?
1.9
?3.8
3.0
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?Resistance (Note 3)
R DS(on)
m W
(V GS = 10 Vdc, I D = 90 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 40 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 20 Adc)
?
?
?
?
5.0
7.5
5.0
7.5
5.8
9.0
5.8
9.0
Forward Transconductance (Note 3) (V DS = 15 Vdc, I D = 10 Adc)
g FS
?
25
?
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1 1.0 0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
2120
900
360
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
(V DD = 20 Vdc, I D = 20 Adc,
V GS = 4.5 Vdc, R G = 2.5 W )
(V DS = 20 Vdc, I D = 20 Adc,
V GS = 4.5 Vdc) (Note 3)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q T
Q 1
?
?
?
?
?
?
16
90
28
60
29
8.0
?
?
?
?
?
?
ns
nC
Q 2
?
20
?
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc)
V SD
?
0.75
1.0
Vdc
(I S = 40 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
?
?
1.2
0.65
?
?
Reverse Recovery Time
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
t rr
t a
?
?
40
21
?
?
ns
t b
?
18
?
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
?
0.036
?
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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