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参数资料
| 型号： | NTB90N02G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB90N02, NTP90N02
5000
V GS = 0 V
10
28
4000
T J = 25 ° C
8
Q T
24
3000
6
V D
V GS
20
C iss
16
2000
4
Q 1
Q 2
12
C oss
8
1000
C rss
0
?8 ?6 ?4 ?2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V GS V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
0
10
I D = 1.0 A
T J = 25 ° C
20 30 40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
50
4
0
1000
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
90
V DD = 20 V
I D = 20 A
V GS = 10 V
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
60
50
40
30
20
10
1
1
10
100
0
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
NTP90N02
NTP90N02G
NTB90N02
NTB90N02G
NTB90N02T4
NTB90N02T4G
Device
Package
TO?220AB
TO?220AB
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
800 Tape & Reel
800 Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 935C2W2K-F | CAP FILM 2UF 200VDC AXIAL |
| NTB90N02 | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 403C35D16M00000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 18 PF SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB90N02T4 | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTBA104 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
| NTBA104BQ | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
| NTBA104GU12 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
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