参数资料
型号: NTD14N03RT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 115pF @ 20V
功率 - 最大: 1.04W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: NTD14N03RT4GOSDKR
NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
Device
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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