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参数资料
| 型号： | NTD15N06LT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD15N06LT4OS |
NTD15N06L
32
24
8V
V GS = 10 V
6V
5V
32
24
V DS ≥ 10 V
4.5 V
16
4V
16
8
3.5 V
3V
8
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.32
V GS = 5 V
0.32
V GS = 10 V
0.24
0.16
0.08
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.24
0.16
0.08
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
8
16
24
32
0
0
8
16
24
32
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
2
1.8
1.6
I D = 7.5 A
V GS = 5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
100
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD15N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTB75N03-06T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| NTD20N06T4 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| ABM11-30.000MHZ-B7G-T | CRYSTAL 30.0000 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD15N06LT4G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD15N06T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD15N06T4G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD15N08/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET |
| NTD16N06 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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