- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17485 > NTD18N06-001 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 18A IPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD18N06-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD18N06-001OS |
NTD18N06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
60
?
?
?
?
70.8
68.8
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 9.0 Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 18 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 9.0 Adc, T J = 150 ° C)
Forward Transconductance (Note 3) (V DS = 7.0 Vdc, I D = 9.0 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
V DS(on)
g FS
2.0
?
?
?
?
?
3.1
7.0
51
0.91
0.85
10.1
4.0
?
60
1.3
?
?
Vdc
mV/ ° C
m W
Vdc
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
509
710
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
162
47
230
100
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
12
25
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 30 Vdc, I D = 18 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 9.1 W ) (Note 3)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
23
19
20
50
40
40
Gate Charge
(V DS = 48 Vdc, I D = 18 Adc,
V GS = 10 Vdc) (Note 3)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
15.3
3.2
7.3
30
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 18 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 18 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
(I S = 18 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
0.98
0.87
42
31
11
0.066
1.15
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH3D336M016F0600 | CAP TANT 33UF 16V 20% 2917 |
| TH3D336M016D0600 | CAP TANT 33UF 16V 20% 2917 |
| TH3D336K020F0600 | CAP TANT 33UF 20V 10% 2917 |
| 72PR50KLF | TRIMMER 50K OHM 0.5W TH |
| NTD25P03L1 | MOSFET P-CH 30V 25A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD18N06-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| NTD18N06-1G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD18N06L | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。