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参数资料
| 型号： | NTD20N03L27T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 10A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD20N03L27T4GOSDKR |
NTD20N03L27, NVD20N03L27
2500
200
1500
V GS ? V DS
C iss
12
10
8
6
Q
V GS
1000
4
Q 1
Q 2
500
C rss
C oss
2
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0
10 8 6 4 2 0 2
4 6 8 10 12 14 16 18 20 23 25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
20
18
16
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t f
t d(off)
14
12
10
10
1
1
t d(on)
10
V DS = 20 V
I D = 20 A
V GS = 5.0 V
T J = 25 ° C
100
8
6
4
2
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
350
300
250
200
150
100
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 24 A
0
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20N03L27T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 20V 20A D-PAK |
| NTD20N03L27T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 30 V 27 mOhm 74 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252 |
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| NTD20N06-001 | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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