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参数资料
| 型号： | NTD23N03R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD23N03R
20
10 V
16
12
8
4.5 V
8V
6V
5V
4V
3.5 V
3V
20
16
12
8
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
4
V GS = 2.5 V
4
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0.20
0.16
0.12
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.20
0.16
0.12
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.08
T J = 125 ° C
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.04
0
0
4
8
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
12
16
20
0.04
0
0
4
8
T J = ? 55 ° C
12
16
20
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
1.4
I D = 6 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM3C-26.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 26.000 MHZ 18PF SMD |
| P170N-QC12BR500K | POT ROTARY 500K OHM 17MM SOLDER |
| ASA1-30.000MHZ-L-T3 | OSC 30.000 MHZ 2.5V SMD |
| ASA1-28.63636MHZ-L-T3 | OSC 28.63636 MHZ 2.5V SMD |
| 7W-22.5792MBB-T | OSC 22.5792 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD23N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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