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参数资料
| 型号： | NTD23N03R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD23N03R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369AA ? 01
ISSUE O
B
C
? T ?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
S
F
1
R
4
2
3
L
A
H
J
E
U
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.025 0.035
0.018 0.024
0.030 0.045
0.386 0.410
0.018 0.023
0.090 BSC
0.180 0.215
0.024 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.63 0.89
0.46 0.61
0.77 1.14
9.80 10.40
0.46 0.58
2.29 BSC
4.57 5.45
0.60 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
D 2 PL
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
3.0
0.244
2.58
0.101
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM3C-26.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 26.000 MHZ 18PF SMD |
| P170N-QC12BR500K | POT ROTARY 500K OHM 17MM SOLDER |
| ASA1-30.000MHZ-L-T3 | OSC 30.000 MHZ 2.5V SMD |
| ASA1-28.63636MHZ-L-T3 | OSC 28.63636 MHZ 2.5V SMD |
| 7W-22.5792MBB-T | OSC 22.5792 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD23N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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