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参数资料
| 型号： | NTD23N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD23N03RT4OSDKR |
NTD23N03R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V(br) DSS
I DSS
I GSS
25
?
?
?
?
28
?
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 6 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 6 Adc)
Forward Transconductance (Note 3)
(V DS = 10 Vdc, I D = 6 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
1.0
?
?
?
?
1.8
?
50.3
32.3
13
2.0
?
60
45
?
Vdc
mV/ ° C
m W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
225
?
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 V, f = 1 MHz)
C oss
C rss
?
?
108
48
?
?
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
2.0
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V GS = 10 Vdc, V DD = 10 Vdc,
I D = 6 Adc, R G = 3 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
14.9
9.9
2.0
?
?
?
Gate Charge
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 6 Adc,
V DS = 10 Vdc) (Note 3)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
3.76
1.7
1.6
?
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 6 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 6 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = 6 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
0.87
0.74
8.7
5.2
3.5
0.003
1.2
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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