参数资料
型号: NTD3055-150T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: NTD3055-150T4GOSDKR
NTD3055 ? 150, NVD3055 ? 150
10
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
P (pk)
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTD3055 ? 150G
NTD3055 ? 150 ? 1G
NTD3055 ? 150T4G
NTD3055 ? 150T4H
NVD3055 ? 150T4G*
Device
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Halide ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC ? Q101 Qualified and PPAP
Capable.
http://onsemi.com
5
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PDF描述
ZVN4106FTA MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
SS-01GP SWITCH BASIC SPDT .1A SLDR
SS-3GPT SWITCH BASIC SPDT 3A .110QC
ASFLMB-8.000MHZ-LC-T OSC MEMS 8.000 MHZ SMD
ASFLMB-12.288MHZ-LC-T OSC MEMS 12.288 MHZ SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTD3055AV1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTD3055AVL1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTD3055AVT4 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTD3055L 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
NTD3055L104 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube