参数资料
型号: NTD3055L104T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
产品目录绘图: MOSFET DPAK Pkg
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 104 毫欧 @ 6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTD3055L104T4GOSDKR
NTD3055L104, NTDV3055L104
ORDERING INFORMATION
Device
NTD3055L104G
NTD3055L104 ? 1G
NTD3055L104T4G
NTDV3055L104 ? 1G
NTDV3055L104T4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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