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参数资料
| 型号： | NTD3055L170 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 275pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
NTD3055L170, NVD3055L170
SAFE OPERATING AREA
100
10
1
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
32
24
16
I D = 7.75 A
R DS(on) LIMIT
8
0.1
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10 ms
10
dc
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
10
D = 0.5
0.2
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1
0.1
0.05
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 227-1221-11 | TOOL DIE SET FERRULE RG-58 |
| P110KV1-1F15BR100K | POT ROTARY 100K OHM 11MM BUSHING |
| AML22CBR8AC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| B32529C6103J289 | CAP FILM 10000PF 400VDC RADIAL |
| TA 0000 202 | TOOL DIE FOR 20-26 AWG CONTACTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3055L170.1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD3055L170_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD3055L170-001 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055L170-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel DPAK |
| NTD3055L170-1G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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