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参数资料
| 型号： | NTD3813NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 963pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD3813N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 15 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.88
0.76
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
14.4
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 15 A
6.8
7.6
3.7
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 5)
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
0.4
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
5. Assume standoff of 110 mm.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3817NT4G | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD3817NT4G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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