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参数资料
| 型号： | NTD40N03R-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 45A IPAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 584pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD40N03R-001OS |
NTD40N03R
1000
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
800
600
C iss
C rss
C iss
6
Q T
V GS
400
4
Q 1
Q 2
200
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
C oss
C rss
20
2
0
0
2
4
I D = 10 A
T J = 25 ° C
6
8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
20
18
16
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
t d(on)
t f
14
12
10
8
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
SINGLE PULSE
V GS = 20 V
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
10
1 ms
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD110N02R-001 | MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK |
| ABM8-30.000MHZ-B2-T | CRYSTAL 30.000MHZ 18PF SMD |
| NTD70N03R-001 | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
| PVZ3K471E01B00 | TRIMMER 470 OHM 0.1W SMD |
| REC5-1205SRW/H4/C | CONV DC/DC 5W 9-18VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD40N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts |
| NTD40N03R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD40N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD40N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD40N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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