- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17499 > NTD40N03RT4 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD40N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 584pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD40N03RT4OSDKR |
NTD40N03R
20
16
12
8
4
10 V
8V
6V
4V
3.5 V
3.4 V
3.2 V
3V
2.8 V
V GS = 2.6 V
20
16
12
8
4
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
0.040
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.040
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.032
V GS = 10 V
0.032
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.024
0.016
0.008
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.024
0.016
0.008
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 10 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DME2W1K-F | CAP FILM 1UF 250VDC RADIAL |
| GP02-20-E3/73 | DIODE 0.25A 2000V SMC |
| PVG3G103C01R00 | TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD |
| PVG3G102C01R00 | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| AIML-1206-270K-T | INDUCTOR MULTILAYER 27UH 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD40N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD412 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
| NTD4302 | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4302/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts |
| NTD4302_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 68 A, 30 V, Na??Channel DPAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。