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参数资料
| 型号： | NTD40N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 584pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD40N03RT4OSDKR |
NTD40N03R
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTD40N03R ? 1G
NTD40N03RT4G
Device
Package
DPAK (Straight Lead)
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units/Rail
2500 Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DME2W1K-F | CAP FILM 1UF 250VDC RADIAL |
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| PVG3G103C01R00 | TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD |
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| AIML-1206-270K-T | INDUCTOR MULTILAYER 27UH 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD40N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTD4302/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts |
| NTD4302_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 68 A, 30 V, Na??Channel DPAK |
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