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参数资料
| 型号： | NTD4804NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4490pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.43W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD4804NT4GOSDKR |
NTD4804N, NVD4804N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
240
200
10 V
6V
T J = 25 ° C
4.5 V
240
200
V DS ≥ 10 V
160
160
120
4V
120
80
3.6 V
80
T J = 125 ° C
40
0
0
1
2
3
4
3.2 V
5
40
0
0
1
T J = 25 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
7
0.010
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.01
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.009
0.008
0.007
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.0075
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.006
0.005
0.004
0.005
0.0025
V GS = 11.5 V
0.003
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.4
1.3
1.2
10,000
1.1
1.0
0.9
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.7
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD10ED300JO3F | CAP MICA 30PF 500V 5% RADIAL |
| FCP1913H563G | CAP FILM 0.056UF 50VDC 1913 |
| 160183K1000G-F | CAP FILM 0.018UF 1KVDC RADIAL |
| CD10ED300JO3 | CAP MICA 30PF 500V 5% RADIAL |
| CD5EC300JO3F | CAP MICA 30PF 300V 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4805N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4805N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4805N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4805NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4806N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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